|
Открытый урок по МДК.05.02. Технологические процессы производства электронных приборов и устройств профессионального модуля ПМ.05. Проектирование и технология производства электронных приборов и устройств специальность 210112 Электронные приборы и устройства на тему «Способы получения рельефа тонких пленок заданной конфигурации»
План урока
По междисциплинарному курсу МДК.05.02. Технологические процессы производства электронных приборов и устройств профессионального модуля ПМ 05. Проектирование и технология производства электронных приборов и устройств СПЕЦИАЛЬНОСТЬ 210112 Электронные приборы и устройства Группа 11ЭЛ0ПУ1 Дата проведение «06» ноября 2013г. Тема урока: «Способы получения рельефа тонких пленок заданной конфигурации».
Цель урока: формирование у студентов знаний о технологических процессах получения рельефа тонких пленок заданной конфигурации при производстве гибридных интегральных схем ( ГИС).
Задачи урока:
1. Образовательная:
● закрепить полученные ранее знания о технологических процессах напыления пленок при производстве гибридных интегральных схем;
● сформировать профессиональные знания о методах получения рельефа тонких пленок заданной конфигурации.
2. Развивающая: показать возможности практического применения полученных знаний по методам получения рельефа тонких пленок заданной конфигурации.
Студенты будут знать:
● методы получения свободных масок. Особенности использования методов контактной маски и двойной фотолитографии.
Тип урока – комбинированный, урок усвоения новых знаний
Организационные формы и методы обучения: традиционные – беседа при формировании понятий, составление синквейна по содержанию информационного материала темы при подведении итогов урока.
Методы обучения:
● по источнику знаний – словесные, наглядные с использованием презентации с элементами анимации.
● по характеру познавательной деятельности: объяснительно – иллюстративный;
Оборудование: компьютер, мультимедийный проектор, экран, презентация (приложение: презентации.ppt).
Структура урока
Организационный момент (3мин.)
1. Актуализация опорных знаний и способов деятельности.
2. Повторение пройденного материала 20 мин
3. Постановка учебных задач урока (тема урока, цели урока) - 2 мин.
4. Формирование новых знаний 45 мин.
5. Закрепление новых знаний 15 мин.
6. Обобщение и систематизация знаний 3 мин.
7. Домашнее задание с пояснениями 2 мин.
ХОД УРОКА
1. Организационная часть 3 мин.
1.1. Приветствие
1.2. Проверка присутствующих
2. Повторение пройденного материала.
Ответы на контрольные вопросы домашнего задания 20 мин.
2.1. Термическое испарение в вакууме
2.2. Катодное напыление
2.3. Ионно-плазменное распыление
2.4.Компоненты и элементы ГИС
2.5.Понятие фотолитографии и фотошаблона
3. Изложение нового материала 45 мин.
Вопросы, подлежащие изложению:
3.1 Метод свободной маски 25 мин.
3.1.1.Основные определения и требования и характеристик
свободной маски
3.1.2. Способ получение свободной маски методом
фотохимического фрезерования
3.1. 3. Способ получение свободной маски методом
электрохимического наращивания
3.1.4. Получение топологии тонкопленочной структуры
3.1.5. Достоинства и недостатки метода свободной маски
3.2.Метод контактной маски 20 мин.
3.2.1. Метод прямой фотолитографии -
прямой метод контактной маски
3.2.2. Косвенный метод контактной маски
3.2.3. Достоинства и недостатки метода свободной маски
4. Закрепление нового материала 5 мин.
4.1.Вопросы по пройденному материалу, составление синквейна 3 мин.
4.2. Фронтальная беседа по вопросам для закрепления материала 2 мин.
5 Домашние задание 1 мин.
6. Подведение итогов 1 мин.
Разработала: Михайленко Марина Борисовна. преподаватель ГБОУ СПО Колледжа связи № 54
|
